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BYV32EB-200_4
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Product data sheet Rev. 04 — 2 March 2009 4 of 9
NXP Semiconductors
BYV32EB-200
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V
5. Thermal characteristics
6. Characteristics
Table 5. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-mb)
thermal resistance from
with heatsink compound; both diodes
junction to mounting
base
conducting
--1.6K/W
with heatsink compound; per diode; see
Figure 3
--2.4K/W
Rth(j-a)
thermal resistance from
minimum footprint FR4 board - 50 - K/W
junction to ambient
Fig 3. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
003aac980
1
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